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シリコーンゴム中の環状シロキサン分析

2011年01月18日更新

概要

 未焼成の『サンプルA』と比べて、200℃×4h焼成後の『サンプルB』では、 接点障害の原因となる環状シロキサンD3~D10が、効果的に除去されています。
 シリコーンゴムは、各種シラン類の加水分解後、生成シラノールの縮合重合から得られるケイ素骨格ポリマーです。 同種の炭素骨格ポリマーと比べて、耐熱性、耐オゾン性、撥水性に優れ、不導体である利点から、 精密電子機器のシーリング剤や保護部品をはじめ、様々な用途に使用されています。
 一方、シリコーンゴムに易揮発性の環状シロキサンが残留する場合、シリカの析出による電子機器内部の 接点障害の原因となるため、シリコーンゴムの成型後、熱焼成処理(二次加硫) による環状シロキサンの除去工程がきわめて重要となります。
シリコーンゴムの品質基準としては、環状シロキサンD3~D10の残留量が指標となります。 以下に、ガスクロマトグラフ-質量分析計(GC-MS)を用いた、シリコーンゴムの測定事例を紹介します。

当社では、シリコーンゴム中の環状シロキサン分析について豊富な経験をもち、
GC-MSによる高感度かつ選択的な定量分析法を確立しています。

分析・試験事例

表. 環状シロキサン分析結果

シロキサンDn サンプルA
(未焼成)
サンプルB (200℃×4h焼成)
D3 < 5 < 5
D4 <5 < 5
D5 < 5 < 5
D6 5..8 < 5
D7 11 < 5
D8 14 < 5
D9 17 < 5
D10 20 < 5

単位:[μg/g]

図. クロマトグラム比較結果(TIC)

図. クロマトグラム比較結果(TIC)

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